STD8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
467 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 18 шт. —
290 руб.
от 36 шт. —
265 руб.
от 72 шт. —
258 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 700 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 70Вт
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | MDmesh | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | STD8N65M5 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 100V | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Series | MDmeshв(ў V | |
| Supplier Device Package | DPAK | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±25V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Material | Si | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 600@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| PCB changed | 2 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | MDmesh V | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-252 | |
| Supplier Package | DPAK | |
| Supplier Temperature Grade | Industrial | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 11 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 690@100V | |
| Typical Rise Time (ns) | 14 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 50 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
