STP150NF55
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
180 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 55V 120A <0,005Om
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 80 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 140 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 140@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4400@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 180 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 140 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 35 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 60A, 10V |
| Series | STripFETв(ў II |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 3.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 557 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
