Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STU7N80K5

STU7N80K5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней

150 руб.

Кратность заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 500 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8023500869

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы полевые

Транзистор полевой STU7N80K5

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	6 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	13.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	8.3 ns
Время спада	20.2 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STU7N80K5
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	23.7 ns
Типичное время задержки при включении	11.3 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Base Product Number	STU7N80 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.4nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESH5в„ў ->
Supplier Device Package	I-PAK
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100ВµA
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	20.2 ns
Id - Continuous Drain Current	6 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	13.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	950 mOhms
Rise Time	8.3 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	23.7 ns
Typical Turn-On Delay Time	11.3 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Вес, г	0.875