FDC6301N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 2 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV; Power Dissipation Pd:900mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150В°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:220mA; Operating Temperature Min:-55В°C; Operating Temperature Range:-55В°C to +150В°C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:2.7V
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.22A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4000m? |
| Maximum Drain Source Voltage | 25V |
| Maximum Gate Source Voltage | -0.5 > 8V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Pin Count | 6 |
| Product Height | 1mm |
| Product Length | 3mm |
| Product Width | 1.7mm |
| Supplier Package | SuperSOT |
| Typical Fall Time | 3.2ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.49nC |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 9.5pF |
| Typical Rise Time | 4.5ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5ns |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 900mW |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| разрешение | Power MOSFET |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 220мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 850мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.25 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6301N_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 490 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 Ohms |
| Rise Time: | 4.5 ns |
| Series: | FDC6301N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -500 mV, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.091 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
