SD2931-10W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 510 руб.
от 10 шт. —
17 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 510 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 125 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Power Dissipation | 389 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | M174 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 24.89mm |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SD2931-10W
pdf, 330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
