STD4NK80ZT4, Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 80Вт

Фото 1/4 STD4NK80ZT4, Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 80Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3965 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт.120 руб.
от 37 шт.111 руб.
от 73 шт.106 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8145890526
Артикул: STD4NK80ZT4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 80Вт

Технические параметры

Корпус dpak
кол-во в упаковке 2500
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 32 ns
Forward Transconductance - Min: 2.9 S
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 80 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 22.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 Ohms
Rise Time: 12 ns
Series: STD4NK80Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel MOSFET
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 2500
Fall Time 32 ns
Forward Transconductance - Min 2.9 S
Height 2.4 mm
Id - Continuous Drain Current 3 A
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 80 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 22.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms
Rise Time 12 ns
RoHS Details
Series STD4NK80Z
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 6.2 mm
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 833 КБ
en.cd00003209-1141630
pdf, 526 КБ
Документация
pdf, 543 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.