FDPF5N50UT

PartNumber: FDPF5N50UT
Ном. номер: 8282694349
Производитель: ON Semiconductor
FDPF5N50UT
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Доступно на заказ 52 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 24 шт. — 63 руб.
от 50 шт. — 56 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 440 руб.
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500В 5А 35Вт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
27 ns
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
TO-220F
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Серия
UniFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.9мм
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
16.07мм
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 nC @ 10 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
485 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.