STD3NK50Z-1, Транзистор полевой N-канальный 500В 2.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
741 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
35 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 75 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
25 руб.
от 300 шт. —
23 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.3A
Технические параметры
Корпус | TO-251 | |
Base Product Number | STD3N -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 1.15A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | SuperMESHв„ў -> | |
Supplier Device Package | I-PAK | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
Вес, г | 0.83 |
Техническая документация
Datasheet STD3NK50Z-1
pdf, 472 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.