FDS6294, Транзистор полевой N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 45 шт. —
46 руб.
от 89 шт. —
43 руб.
от 178 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 456 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Continuous Drain Current | 13A | |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0113? | |
Maximum Drain Source Voltage | 30V | |
Maximum Gate Source Voltage | ±20V | |
Minimum Operating Temperature | -55°C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Pin Count | 8 | |
Product Height | 1.5mm | |
Product Length | 5mm | |
Product Width | 3.99mm | |
Supplier Package | SOIC | |
Typical Fall Time | 6ns | |
Typical Rise Time | 4ns | |
Typical Turn-Off Delay Time | 24ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 9ns | |
конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source | |
максимальная рабочая температура | 175°C | |
монтаж (установка) | Surface Mount | |
разрешение | Power MOSFET | |
Вес, г | 0.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов