FDD86102, Транзистор полевой N-канальный 100В 8А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 2 шт. —
590 руб.
от 4 шт. —
545 руб.
от 7 шт. —
528 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 8А
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 36 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 62 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Series | PowerTrench | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13.4 nC @ 10 V | |
Width | 6.22mm | |
Brand: | onsemi/Fairchild | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Forward Transconductance - Min: | 21 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A | |
Manufacturer: | onsemi | |
Maximum Operating Temperature: | +125 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | DPAK-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 3.1 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 13.4 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms | |
Series: | FDD86102 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | PowerTrench | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V | |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов