STP7NK80Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
520 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
343 руб.
от 10 шт. —
315 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,3А, 125Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 Ohms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.6 mm |
| Вес, г | 2.84 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 935 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
