NTR1P02T1G, Транзистор полевой P-канальный 20В 1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26 руб.

Мин. кол-во для заказа 18 шт.

от 94 шт. — 21 руб.

от 188 шт. — 19 руб.

от 376 шт. — 17 руб.

Добавить в корзину 18 шт. на сумму 468 руб.

Номенклатурный номер: 8826370103

Артикул: NTR1P02T1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 20В 1A

Корпус	sot-23
Brand	ON Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	3 ns
Id - Continuous Drain Current	1 A
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	400 mW
Product	MOSFET Small Signal
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	2.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms
Rise Time	9 ns
Series	NTR1P02
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	9 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V
Вес, г	0.05

pdf, 120 КБ

Мы рекомендуем