FDS6690AS, Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Фото 1/3 FDS6690AS, Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
88 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 30 шт.71 руб.
от 60 шт.66 руб.
от 100 шт.62 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 528 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8837667183
Артикул: FDS6690AS

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Технические параметры

Корпус so-8
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Factory Pack Quantity 2500
Fall Time 6 ns
Forward Transconductance - Min 45 S
Height 1.75 mm
Id - Continuous Drain Current 10 A
Length 4.9 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SO-8
Packaging Reel
Part # Aliases FDS6690AS_NL
Pd - Power Dissipation 2.5 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 10 mOhms
Rise Time 5 ns
RoHS Details
Series FDS6690AS
Technology Si
Tradename PowerTrench SyncFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 25 ns
Typical Turn-On Delay Time 8 ns
Unit Weight 0.004586 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 3.9 mm
Вес, г 0.2

Техническая документация

Документация
pdf, 781 КБ
Datasheet FDS6690AS
pdf, 658 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов