FDS6690AS, Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
88 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 30 шт. —
71 руб.
от 60 шт. —
66 руб.
от 100 шт. —
62 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 528 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Fall Time | 6 ns | |
Forward Transconductance - Min | 45 S | |
Height | 1.75 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 10 A | |
Length | 4.9 mm | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SO-8 | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | FDS6690AS_NL | |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms | |
Rise Time | 5 ns | |
RoHS | Details | |
Series | FDS6690AS | |
Technology | Si | |
Tradename | PowerTrench SyncFET | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | |
Unit Weight | 0.004586 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Width | 3.9 mm | |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 781 КБ
Datasheet FDS6690AS
pdf, 658 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов