NTR4003NT1G, Транзистор полевой N-канальный 30В 500мА, 0.83Вт, 1 Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 руб.

Мин. кол-во для заказа 37 шт.

от 188 шт. — 10 руб.

от 375 шт. — 8.40 руб.

от 749 шт. — 7.40 руб.

Добавить в корзину 37 шт. на сумму 481 руб.

Номенклатурный номер: 8924615868

Артикул: NTR4003NT1G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 30В 500мА, 0.83Вт, 1 Ом

Корпус	sot-23
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	560 mA
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	690 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	1.15 nC @ 5 V
Width	1.4mm
Brand:	onsemi
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	64.2 ns
Forward Transconductance - Min:	0.33 S
Id - Continuous Drain Current:	560 mA
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	690 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge:	1.15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.5 Ohms
Rise Time:	47.9 ns
Series:	NTR4003N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	FETs-MOSFET-N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	65.1 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	800 mV
Вес, г	0.05