STP11NK40Z, Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
160 руб.
от 29 шт. —
143 руб.
от 50 шт. —
136 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2000 | |
Fall Time | 18 ns | |
Forward Transconductance - Min | 5.8 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 9 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 110 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms | |
Rise Time | 20 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
Unit Weight | 0.050717 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 4.6 mm | |
Automotive | No | |
Channel Type | N | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Process Technology | SuperMESH | |
Standard Package Name | TO | |
Supplier Package | TO-220AB | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 18 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 930@25V | |
Typical Rise Time (ns) | 20 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
...11NK40Z
pdf, 500 КБ
Datasheet
pdf, 772 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP
pdf, 746 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.