FQPF2N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 2A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

71 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 36 шт. — 58 руб.

от 100 шт. — 53 руб.

от 150 шт. — 50 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 497 руб.

Номенклатурный номер: 8000561826

Артикул: FQPF2N60C

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 2A

Корпус	TO-220F
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	28 ns
Forward Transconductance - Min	5 S
Height	16.07 mm
Id - Continuous Drain Current	2 A
Length	10.36 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220FP-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	FQPF2N60C_NL
Pd - Power Dissipation	23 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	4.7 Ohms
Rise Time	25 ns
RoHS	Details
Series	FQPF2N60C
Technology	Si
Tradename	QFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Unit Weight	0.080072 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.9 mm
Вес, г	3.5

pdf, 1596 КБ

Мы рекомендуем