STN4NF03L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт. со склада г.Москва, срок 5-6 дней
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Добавить в корзину 23 шт.
на сумму 989 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор полевой STN4NF03L от производителя STMicroelectronics является высококачественным полупроводниковым компонентом, предназначенным для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе SOT223, предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает максимальным током стока 4 А. Это делает его идеальным для различных силовых применений. Напряжение сток-исток достигает 30 В, а мощность рассеивания составляет 2,5 Вт, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Использование STN4NF03L позволит значительно улучшить производительность вашего оборудования благодаря высокому уровню интеграции и эффективности. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 4 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 2.5 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
Корпус | sot223 | |
кол-во в упаковке | 4000 | |
Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 3.3 W | |
Qg - заряд затвора | 6.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 100 ns | |
Время спада | 22 ns | |
Высота | 1.8 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | STripFET | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 4000 | |
Серия | STN4NF03L | |
Средства разработки | STEVAL-ISA147V3 | |
Технология | Si | |
Тип | MOSFET | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Типичное время задержки выключения | 35 ns | |
Типичное время задержки при включении | 11 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.5 mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single Dual Drain | |
Factory Pack Quantity | 4000 | |
Fall Time | 22 ns | |
Forward Transconductance - Min | 6 S | |
Height | 1.8 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 6.5 A | |
Length | 6.5 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SOT-223-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 3.3 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms | |
Rise Time | 100 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | |
Unit Weight | 0.004395 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
Width | 3.5 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
Maximum Power Dissipation | 3.3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
Automotive | No | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Surface Mount | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
PPAP | No | |
Process Technology | STripFET II | |
Standard Package Name | SOT | |
Supplier Package | SOT-223 | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 22 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.5 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.5@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330@25V | |
Typical Rise Time (ns) | 100 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 | |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 228 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 214 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.