STP20NM60FP

Ном. номер: 8001783209
PartNumber: STP20NM60FP
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP20NM60FP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STP20NM60FPФото 3/4 STP20NM60FPФото 4/4 STP20NM60FP
120 руб.
2858 шт. со склада г.Москва
от 75 шт. — 107 руб.
от 150 шт. — 101 руб.
Мин. кол-во для заказа 42 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 785 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 156 руб.
от 150 шт. — 154 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 290 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
45 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.3мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
42 нс
Серия
MDmesh
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
290 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1500 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
2.7

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.