STB9NK50ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт. со склада г.Москва
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 3 780 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | TO263 | |
кол-во в упаковке | 1000 | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.2A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Not For New Designs | |
Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V | |
Series | SuperMESHв(ў | |
Standard Package | 1 | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.