STP14NK50Z

Ном. номер: 8001789168
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP14NK50Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STP14NK50ZФото 3/4 STP14NK50ZФото 4/4 STP14NK50Z
86 руб.
762 шт. со склада г.Москва
от 64 шт. — 71 руб.
от 250 шт. — 67.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 57 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 3-4 недели, 145 шт. 1 шт. 1 шт.
от 7 шт. — 160 руб.
от 31 шт. — 140.97 руб.
200 руб. 6 дней, 399 шт. 1 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 91 руб.
от 50 шт. — 80 руб.
от 100 шт. — 73 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
150 W
Mounting Type
Through Hole
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh, SuperMESH
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
2.73

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов