STD4NK60ZT4, , N-канальный MOSFET , 600В/4А, корпус TO-252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2220 шт. со склада г.Москва
64 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 40 шт. —
61 руб.
от 80 шт. —
58 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 1 280 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8014323054
Артикул: STD4NK60ZT4, , N-канальный MOSFET , 600В/4А, корпу
Бренд: STMicroelectronics
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Описание | 600V, MOSFET | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*47*46/2500 | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | |
Process Technology | SuperMESH | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18.8@10V | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.8 | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 510@25V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 | |
Typical Fall Time (ns) | 16.5 | |
Typical Rise Time (ns) | 9.5 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Automotive | No | |
Pin Count | 3 | |
Standard Package Name | TO-252 | |
Supplier Package | DPAK | |
Military | No | |
Mounting | Surface Mount | |
Package Height | 2.4(Max) | |
Package Length | 6.6(Max) | |
Package Width | 6.2(Max) | |
PCB changed | 2 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Gull-wing | |
кол-во в упаковке | 2500 | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V | |
Series | SuperMESHв(ў | |
Standard Package | 1 | |
Supplier Device Package | D-Pak | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 759 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.