STD12N65M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
570 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
650V 8A 420m-@10V,4A 85W 3V@250uA 1.1pF@100V N Channel 535pF@100V 16.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) DAPK MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 13.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 85 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| Rise Time | 7 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M2 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 13.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 420 mOhms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Series: | STD12N65M2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.42Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.42Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 420mΩ@10V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 535pF@100V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 85W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.1pF@100V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.5nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
