FCD5N60TM

Фото 2/2 FCD5N60TM
Фото 1/2 FCD5N60TM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва
270 руб.
от 2 шт.180 руб.
от 5 шт.124 руб.
от 10 шт.101 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985022
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The FCD5N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 16nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
• 100% avalanche tested

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4.6 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 54 W
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 6.22мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 3.8с
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 30 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 95 ns
Серия SuperFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 950 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 16 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 470 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Прямое напряжение диода 1.4V

Дополнительная информация

Datasheet FCD5N60TM

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах