FDMS7670
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
295 руб.
от 10 шт. —
270.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0029OHM, 42A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0029OHM, 42A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:62W
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 21A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.8m? |
| Maximum Drain Source Voltage | 30V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±16V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 8 |
| Product Height | 1.05mm |
| Product Length | 5mm |
| Product Width | 6mm |
| Supplier Package | Power 56 |
| Typical Fall Time | 5ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40nC |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 3085pF |
| Typical Rise Time | 6ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15ns |
| конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2500mW |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| разрешение | Power MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.25 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FDMS7670 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Ширина | 5 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 428 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
