FDT439N

Фото 2/2 FDT439N
Фото 1/2 FDT439N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.120 руб.
от 5 шт.62 руб.
от 10 шт.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002985059
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 6.5mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 6.3 A
Package Type SOT-223
Maximum Power Dissipation 3 W
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.56mm
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Height 1.6mm
Maximum Drain Source Resistance 72 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V

Дополнительная информация

Datasheet FDT439N

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах