FDT439N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
80 руб.
от 10 шт. —
62 руб.
от 13 шт. —
55.81 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 6,3А, 3Вт, SOT223 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.3A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.038Ом |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 6.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 670мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.3 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | FDT439N_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | FDT439N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| Width | 3.56mm |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
