FQB19N20LTM

Фото 2/2 FQB19N20LTM
Фото 1/2 FQB19N20LTM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва
270 руб.
от 2 шт.180 руб.
от 5 шт.122 руб.
от 10 шт.100 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985080
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical low gate charge
• 30pF Typical low Crss

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 21 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 3,13 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 35 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 130 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 140 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 27 нКл при 5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1700 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet FQB19N20LTM

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах