FQB19N20LTM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
149 руб.
от 28 шт. —
134.82 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 13,3А, 140Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 180 ns |
| Forward Transconductance - Min | 18.5 S |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FQB19N20LTM_NL |
| Pd - Power Dissipation | 3.13 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 140 mOhms |
| Rise Time | 300 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FQB19N20L |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 9.65 mm |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1041 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
