IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 5 шт. —
576 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Характеристики
Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 6 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 3 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3 | |
Тип входа | неинвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 200 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 10 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | DIP-14(0.300 inch) | |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet IR2010SPBF
pdf, 2365 КБ
Datasheet IR2010SPBF
pdf, 332 КБ
Datasheet IR2010STRPBF
pdf, 2359 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2010
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
С этим товаром покупают