STP55NF06L, Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 12 шт. —
120 руб.
от 24 шт. —
111 руб.
от 50 шт. —
106 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Максимальная рабочая температура | +175 °C | |
Максимальный непрерывный ток стока | 55 А | |
Тип корпуса | TO-220 | |
Максимальное рассеяние мощности | 95 Вт | |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
Ширина | 4.6мм | |
Высота | 9.15мм | |
Размеры | 10.4 x 4.6 x 9.15мм | |
Материал транзистора | Кремний | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 10.4мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Типичное время задержки включения | 20 ns | |
Производитель | STMicroelectronics | |
Типичное время задержки выключения | 40 нс | |
Серия | STripFET II | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Максимальное сопротивление сток-исток | 18 mΩ | |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В | |
Число контактов | 3 | |
Категория | Мощный МОП-транзистор | |
Типичный заряд затвора при Vgs | 27 нКл при 4,5 В | |
Номер канала | Поднятие | |
Типичная входная емкость при Vds | 1700 пФ при 25 В | |
Тип канала | N | |
Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 20 ns | |
Forward Transconductance - Min | 30 S | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 55 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 95 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms | |
Rise Time | 100 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
Width | 4.6 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 55 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
Maximum Power Dissipation | 95 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 20 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 30 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 55 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 95 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 27 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms | |
Rise Time: | 100 ns | |
Series: | STP55NF06L | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 318 КБ
Datasheet STB55NF06LT4
pdf, 335 КБ
Datasheet STP55NF06L
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.