IGBT модули, стр.7, (картинки)

685 из 783
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
МОДУЛЬ PS22A72, MITSUBISHIбыстрый просмотр
No trademark
2 недели, 2 шт.
9 440 руб.
МОДУЛЬ PS22A73, MITSUBISHIбыстрый просмотр
No trademark
2 недели, 7 шт.
10 290 руб.
МОДУЛЬ PS22A74, MITSUBISHIбыстрый просмотр
No trademark
2 недели, 4 шт.
12 040 руб.
МОДУЛЬ SEMIX302GB066HDSбыстрый просмотр
Semikron
2 недели, 4 шт.
14 280 руб.
МОДУЛЬ SKKH162/12Eбыстрый просмотр
Semikron
2 недели, 25 шт.
6 050 руб.
МОДУЛЬ SKM200GB12T4быстрый просмотр
Semikron
2 недели, 1 шт.
9 680 руб.
Модуль тиристорный SKM100GB176D Semikronбыстрый просмотр
Semikron
8 дней, 1 шт.
4 560 руб.
1206X476M100N2, (чип 1206 X5R 47uF +20% 10V), Керамический ЧИП-конденсатор 1206 ...быстрый просмотр
Hitano
3 недели, 1770 шт.
24 руб.
от 100 шт. — 19 руб.
от 200 шт. — 17 руб.
от 400 шт. — 16 руб.
CM100TX-24S, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 Вбыстрый просмотр
Mitsubishi
11 020 руб.
от 2 шт. — 10 660 руб.
CM150DX-34SA, Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 Вбыстрый просмотр
Mitsubishi
5 370 руб.
от 2 шт. — 5 190 руб.
CM600DY-12NF, Биполярный транзистор IGBT, 600A, 600Vбыстрый просмотр
Mitsubishi
17 150 руб.
от 2 шт. — 16 720 руб.
от 4 шт. — 16 520 руб.
CM75TU-24F, Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200Vбыстрый просмотр
Mitsubishi
17 650 руб.
от 2 шт. — 17 240 руб.
DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовойбыстрый просмотр
Leapers Semiconducto
3 недели, 5097 шт.
12 670 руб.
от 2 шт. — 12 240 руб.
от 3 шт. — 11 990 руб.
DFI450HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 450А), IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовойбыстрый просмотр
Leapers Semiconducto
3 недели, 4048 шт.
15 820 руб.
от 2 шт. — 15 060 руб.
от 3 шт. — 15 020 руб.
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовойбыстрый просмотр
Leapers Semiconducto
3 недели, 565 шт.
19 640 руб.
от 2 шт. — 18 710 руб.
от 3 шт. — 18 690 руб.
DSEI2X61-10B, диодный модуль. 1 кВ 120А из двух независимых силовых диодов ...быстрый просмотр
No trademark
3 недели, 20 шт.
5 570 руб.
FF150R12KE3G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225Абыстрый просмотр
Infineon
16 360 руб.
от 2 шт. — 15 500 руб.
от 3 шт. — 15 020 руб.
от 4 шт. — 14 830 руб.
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Втбыстрый просмотр
Infineon
19 380 руб.
от 2 шт. — 18 380 руб.
от 3 шт. — 17 810 руб.
от 4 шт. — 17 620 руб.
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Втбыстрый просмотр
Infineon
10 820 руб.
от 2 шт. — 10 460 руб.
от 3 шт. — 10 290 руб.
FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300Абыстрый просмотр
Infineon
14 800 руб.
от 2 шт. — 14 020 руб.
от 3 шт. — 13 580 руб.
от 4 шт. — 13 400 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60