Мой регион: Россия

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.5103 из более 1000

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
2SK1940
4 дня, 86 шт.
Пр-во: Fuji Electric
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 ом при 6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: to3p(n)
Добавить к сравнению
4 дня,
86 шт.
270 руб. ×
от 8 шт. — 190 руб.
от 15 шт. — 164 руб.
2SK2043, Транзистор N-канал 600В 2А 25Вт, TO-220F
4 дня, 9 шт.
Пр-во: No trademark
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.3 ом при 1a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
4 дня,
9 шт.
130 руб. ×
2SK2750 TO220F
4 дня, 111 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 ом при 1.8а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Корпус: sc67
Добавить к сравнению
4 дня,
111 шт.
85 руб. ×
от 22 шт. — 55 руб.
от 50 шт. — 48 руб.
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
4 дня, 51 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 1.7
Корпус: to220is
Добавить к сравнению
4 дня,
51 шт.
96 руб. ×
от 19 шт. — 64 руб.
от 50 шт. — 55 руб.
2SK3114
4 дня, 392 шт.
Пр-во: NEC
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 ом при 2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
4 дня,
392 шт.
41 руб. ×
от 50 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 22 руб.
BUZ91A, N-канальный полевой транзистор, 600v 0.95Om, [D2-PAK/TO-263], (obs)
4 дня, 113 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 ом при 5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 8.5
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
4 дня,
113 шт.
310 руб. ×
от 7 шт. — 200 руб.
от 14 шт. — 178 руб.
FCP7N60,Nкан 600В 7А TO220
2-3 недели, 1855 шт.
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 ом при 3.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: to225
Добавить к сравнению
2-3 недели,
1855 шт.
160 руб. ×
от 10 шт. — 119 руб.
от 100 шт. — 92 руб.
SPP07N60C3, 7.3A 600v 0.60Om TO220
3-4 недели, 2315 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 ом при 4.6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83
Крутизна характеристики, S: 250
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
3-4 недели,
2315 шт.
178 руб. ×
от 10 шт. — 156 руб.
от 100 шт. — 132 руб.
SPP20N60S5
4 дня, 94 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 ом при 13a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
4 дня,
94 шт.
370 руб. ×
от 8 шт. — 250 руб.
от 15 шт. — 222 руб.
SPW20N60S5, 20A 600v 190mOm TO247
1-2 недели, 158 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 ом при 13a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: to247ac
Добавить к сравнению
1-2 недели,
158 шт.
820 руб. ×
от 6 шт. — 470 руб.
от 15 шт. — 412 руб.
STB21NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А, D2PAK
2-3 недели, 564 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.22 ом при 8.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
2-3 недели,
564 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 260 руб.
от 100 шт. — 254 руб.
STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]
4 дня, 748 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 29
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 ом при 14.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
4 дня,
748 шт.
150 руб. ×
от 7 шт. — 110 руб.
от 8 шт. — 99 руб.
STD7NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А, DPAK
3-4 недели, 133 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 ом при 2.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: dpak
Добавить к сравнению
3-4 недели,
133 шт.
157 руб. ×
от 10 шт. — 135 руб.
от 25 шт. — 122 руб.
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK
3-4 недели, 2500 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.745 ом при 3.25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: dpak
Добавить к сравнению
3-4 недели,
2500 шт.
88 руб. ×
STF24NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]
2-3 недели, 984 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 ом при 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
2-3 недели,
984 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 186 руб.
от 100 шт. — 160 руб.
STF7NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А, TO-220FP
2-3 недели, 1027 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 ом при 2.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
2-3 недели,
1027 шт.
260 руб. ×
от 10 шт. — 184 руб.
от 100 шт. — 147 руб.
STP11NK40Z, Mosfet
3-4 недели, 550 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
3-4 недели,
550 шт.
99 руб. ×
от 10 шт. — 88 руб.
от 100 шт. — 75.60 руб.
STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247
3-4 недели, 600 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.285 ом при 6.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to247
Добавить к сравнению
3-4 недели,
600 шт.
296 руб. ×
от 10 шт. — 266 руб.
STW24NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.168 Ом, 17 А, TO-247
4 дня, 49 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 ом при 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: to247
Добавить к сравнению
4 дня,
49 шт.
180 руб. ×
от 15 шт. — 120 руб.
от 30 шт. — 107 руб.
BUZ90AF, Транзистор, SIPMOS, N-канал 600В 4А 2Ом [TO-220F]
По запросу
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 ом при 2.8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
По запросу
33 руб. ×
от 3 шт. — 28 руб.
от 30 шт. — 27 руб.