Драйверы MOSFET и IGBT, стр.5104 из более 1000

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
MC33152DG, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
88 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
88 шт.
510 руб. ×
от 5 шт. — 479 руб.
от 50 шт. — 443 руб.
IRS2004PBF, Двойной драйвер MOSFET, полумостовой, питание 10В-20В, 600мА, 150нс [DIP-8]
4 дня, 292 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.6
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
4 дня,
292 шт.
150 руб. ×
от 14 шт. — 74 руб.
от 27 шт. — 67 руб.
от 50 шт. — 62 руб.
IX4427NTR, Высокоскоростной драйвер MOSFET, пиковый выходной ток 1.5А [SOIC-8]
3-5 дней, 7 шт.
Пр-во: Ixys
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…30
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8
Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
3-5 дней,
7 шт.
720 руб. ×
от 2 шт. — 650 руб.
от 5 шт. — 603 руб.
TC4426AEOA, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, 1.5А [SOIC-8]
3-5 дней, 1 шт.
Пр-во: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
3-5 дней,
1 шт.
600 руб. ×
IR2110
3-5 дней, 3 шт.
Пр-во: No trademark
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-14(0.300 inch)
быстрый просмотр
3-5 дней,
3 шт.
240 руб. ×
FAN3224CMX, Драйвер MOSFET, LOW-SIDE [SOIC-8]
7-8 недель, 1510 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TA)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
1510 шт.
510 руб. ×
от 10 шт. — 450 руб.
от 25 шт. — 423 руб.
от 100 шт. — 334.52 руб.
IRS2308PBF, Полумостовой драйвер
7-8 недель, 193 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.6
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
193 шт.
1 230 руб. ×
от 10 шт. — 1 080 руб.
от 25 шт. — 948 руб.
от 100 шт. — 820.91 руб.
IXDN604PI, Высокоскоростной IGBT/MOSFET драйвер, Dua Low-Side, выходной ток 4А [DIP-8]
7-8 недель, 237 шт.
Пр-во: Ixys
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…35
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TA)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
237 шт.
500 руб. ×
от 10 шт. — 440 руб.
от 50 шт. — 410 руб.
от 100 шт. — 322.43 руб.
L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
5-6 недель, 62 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -45…+125 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
5-6 недель,
62 шт.
330 руб. ×
от 5 шт. — 280 руб.
от 25 шт. — 220 руб.
MIC4605-2YM, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 5.5В-16В питание [SOIC-8]
7-8 недель, 250 шт.
Пр-во: Microchip
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 5.5…16
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 108
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
250 шт.
240 руб. ×
от 25 шт. — 190 руб.
от 95 шт. — 174 руб.
SN75477P, Двойной периферийный драйвер [DIP-8]
7-8 недель, 815 шт.
Пр-во: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Напряжение питания, В: 4.5…5.5
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: 0...+70 (TA)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
815 шт.
240 руб. ×
от 10 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 191 руб.
от 100 шт. — 161.61 руб.
UCC27323D, Драйвер MOSFET, LOW-SIDE [SOIC-8]
7-8 недель, 90 шт.
Пр-во: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
7-8 недель,
90 шт.
400 руб. ×
от 10 шт. — 350 руб.
от 25 шт. — 330 руб.
от 75 шт. — 277.29 руб.
IR2183STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
8 недель, 100 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
8 недель,
100 шт.
550 руб. ×
от 5 шт. — 464 руб.
от 50 шт. — 451 руб.
TC4427COA, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, 1.5А [SOIC-8]
2 недели, 79 шт.
Пр-во: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
2 недели,
79 шт.
380 руб. ×
от 5 шт. — 350 руб.
от 50 шт. — 340 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
По запросу
190 руб. ×
от 5 шт. — 168 руб.
от 50 шт. — 162 руб.
IRS21844SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 600В, 2.3А [SOIC-14]
По запросу
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-14 (0.154 inch)
быстрый просмотр
По запросу
670 руб. ×
от 5 шт. — 608 руб.
от 50 шт. — 603 руб.
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8]
По запросу
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
По запросу
550 руб. ×
от 5 шт. — 472 руб.
от 50 шт. — 465 руб.
MC34151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8]
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
По запросу
170 руб. ×
от 5 шт. — 148 руб.
от 50 шт. — 139 руб.
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"]
По запросу
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TA)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
По запросу
360 руб. ×
от 5 шт. — 322 руб.
от 50 шт. — 318 руб.
IR2151PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8]
По запросу
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.125
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.25
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
По запросу
140 руб. ×
от 5 шт. — 125 руб.
от 50 шт. — 123 руб.