Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули, стр.7

_{690 из 794}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

МОДУЛЬ PS21767, MITSUBISHI 9 дней, 7 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	9 дней, 7 шт.	7 020 руб. ×
МОДУЛЬ PS22A72, MITSUBISHI 9 дней, 2 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	9 дней, 2 шт.	9 440 руб. ×
МОДУЛЬ PS22A73, MITSUBISHI 9 дней, 7 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	9 дней, 7 шт.	10 290 руб. ×
МОДУЛЬ PS22A74, MITSUBISHI 9 дней, 4 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	9 дней, 4 шт.	12 040 руб. ×
МОДУЛЬ SEMIX302GB066HDS 9 дней, 4 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	9 дней, 4 шт.	14 280 руб. ×
МОДУЛЬ SKKH162/12E 9 дней, 25 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	9 дней, 25 шт.	6 050 руб. ×
МОДУЛЬ SKM200GB12T4 9 дней, 1 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	9 дней, 1 шт.	9 680 руб. ×
Модуль тиристорный SKM100GB176D Semikron 7 дней, 1 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	7 дней, 1 шт.	4 560 руб. ×
1206X476M100N2, (чип 1206 X5R 47uF +20% 10V), Керамический ЧИП-конденсатор 1206 X5R 47мкФ +20% 10В -55°С:+85°С 2 недели, 1750 шт. Бренд: Hitano Корпус: 1206	быстрый просмотр	2 недели, 1750 шт.	24 руб. ×	от 100 шт. — 19 руб. от 200 шт. — 17 руб. от 400 шт. — 16 руб.
CM100TX-24S, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В Бренд: Mitsubishi Корпус: Module	быстрый просмотр		11 020 руб. ×	от 2 шт. — 10 660 руб.
CM150DX-34SA, Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В Бренд: Mitsubishi Корпус: Module	быстрый просмотр		5 370 руб. ×	от 2 шт. — 5 190 руб.
CM600DY-12NF, Биполярный транзистор IGBT, 600A, 600V Бренд: Mitsubishi Корпус: Module	быстрый просмотр		17 150 руб. ×	от 2 шт. — 16 720 руб. от 4 шт. — 16 520 руб.
CM75TU-24F, Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200V Бренд: Mitsubishi Корпус: Module	быстрый просмотр		17 650 руб. ×	от 2 шт. — 17 240 руб.
DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой 2 недели, 5070 шт. Бренд: Leapers Semiconducto Корпус: ECONOD-3	быстрый просмотр	2 недели, 5070 шт.	12 670 руб. ×	от 2 шт. — 12 240 руб. от 3 шт. — 11 990 руб.
DFI450HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 450А), IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой 2 недели, 4017 шт. Бренд: Leapers Semiconducto	быстрый просмотр	2 недели, 4017 шт.	15 820 руб. ×	от 2 шт. — 15 060 руб. от 3 шт. — 15 020 руб.
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой 2 недели, 565 шт. Бренд: Leapers Semiconducto	быстрый просмотр	2 недели, 565 шт.	19 640 руб. ×	от 2 шт. — 18 710 руб. от 3 шт. — 18 690 руб.
DSEI2X61-10B, диодный модуль. 1 кВ 120А из двух независимых силовых диодов. SOT227B. Температурный диапазон от -40 до +150С 2 недели, 20 шт. Бренд: No trademark	быстрый просмотр	2 недели, 20 шт.	5 570 руб. ×
FF150R12KE3G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А Бренд: Infineon Корпус: 62 mm	быстрый просмотр		16 360 руб. ×	от 2 шт. — 15 500 руб. от 3 шт. — 15 020 руб. от 4 шт. — 14 830 руб.
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт Бренд: Infineon Корпус: 62 mm	быстрый просмотр		19 380 руб. ×	от 2 шт. — 18 380 руб. от 3 шт. — 17 810 руб. от 4 шт. — 17 620 руб.
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Бренд: Infineon Корпус: 62 mm	быстрый просмотр		10 820 руб. ×	от 2 шт. — 10 460 руб. от 3 шт. — 10 290 руб.