2SJ557-T1B-A-VB, МОП-Транзистор 30 В 5,6 А 46 м-@10 В, канал 5,6AP TO-236 МОП-Транзистор
50 шт., срок 6 недель
21 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 105 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 5.6A 46mΩ@10V,5.6A P Channel TO-236 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V, 5.6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 246 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
