Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › BSS123LT1G, Транзистор полевой

BSS123LT1G, Транзистор полевой

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 руб.

Мин. кол-во для заказа 50 шт.

от 1000 шт. — 10 руб.

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 700 руб.

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8031362974

Артикул: BSS123LT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	225
Корпус	sot-23
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	170 мА
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	225 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.3мм
Высота	0.94мм
Размеры	2.9 x 1.3 x 0.94мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	2.9мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	20 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	40 нс
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Максимальное сопротивление сток-исток	6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	20 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.17
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	6000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	50
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.6
Maximum IDSS (uA)	15
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	225
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)	0.225
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	0.68
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	1.6
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Gate Plateau Voltage (V)	3.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	20@25V
Typical Output Capacitance (pF)	9
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	4@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	40
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20
Maximum Continuous Drain Current	170 mA
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	225 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Transistor Material	Si
Width	1.3mm
Вес, г	0.05