Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.8

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: to-220	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 343 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр		340 руб. ×	от 20 шт. — 335 руб.
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139 Корпус: to-220	быстрый просмотр		210 руб. ×	от 15 шт. — 181 руб.
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 268 руб.
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 176 руб.
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 160 руб.
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 127 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 43.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/21.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 146 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 192 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 188 руб.
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 158 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 219 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 294 руб.
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.73 Ом/4.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 223 руб.
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 15 шт. — 390 руб.
FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.8 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 204 руб.
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		320 руб. ×	от 15 шт. — 285 руб.
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 294 руб.
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		270 руб. ×	от 15 шт. — 220 руб.
FQT4N20LTF-TP, Транзистор MOSFET 200В 1А 2.1Вт [SOT-223] 993 шт. Бренд: TECH PUBLIC	быстрый просмотр	993 шт.	33 руб. ×	от 100 шт. — 31 руб.
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 114 руб.
FZT951TA, Транзистор NPN 60В 5A 3Вт [SOT-223] Бренд: Diodes	быстрый просмотр		70 руб. ×	от 20 шт. — 63 руб.
HUF75344G3, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55В 75А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 285 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		580 руб. ×	от 15 шт. — 524 руб.
HUF75545P3, Транзистор, N-канал 75А 80В [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		360 руб. ×	от 15 шт. — 350 руб.
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 147 руб.
IPA60R950C6XKSA1 (6R950C6), Транзистор CoolMOS C6, N-канал 650В 4.4А [TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/1.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5 Корпус: TO-252-3	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 100 руб.
IPP032N06N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 60В 120А [TO-220] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 188 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 262 руб.
IPP034NE7N3GXKSA1, Транзистор N-MOSFET 75В 100А [PG-TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0034 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 214 Корпус: to-220	быстрый просмотр		480 руб. ×	от 5 шт. — 406 руб.
IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр		620 руб. ×	от 15 шт. — 572 руб.
IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/15.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 164 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 330 руб. ×	от 15 шт. — 1 290 руб.
IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 37.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 278 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 600 руб. ×	от 15 шт. — 1 550 руб.
IPW60R099CPFKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 31А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 400 руб. ×	от 15 шт. — 1 350 руб.
IPW60R160C6FKSA1 (6R160C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 23.8А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/11.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 176 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		880 руб. ×	от 15 шт. — 818 руб.
IRF100B202, Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 97 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0086 Ом/58А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 221 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 279 руб.
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 69 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/43А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 147 руб.
IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 85 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/43А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 180 Крутизна характеристики, S: 3.2 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 33 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 125 руб.
IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 77 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 155 руб.
IRF1104PBF, Транзистор, N-канал 40В 100А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/60А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 244 руб.
IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/22А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 179 руб.
IRF1324PBF, Транзистор, N-канал 24В 353А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 24 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 353 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/195А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 180 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 311 руб.
IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 162А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 202 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/121А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 76 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 262 руб.
IRF1404ZPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 180А [TO-220АB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 180 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0037Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 270 руб.
IRF1404ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 40В 180A [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 180 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0037ом при 75a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 188 руб.
IRF1405PBF, Транзистор, N-канал 55В 133А авто [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 169 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0053 Ом/101А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 69 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 235 руб.
IRF1407PBF, Транзистор, N-канал 75В 130А авто [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 130 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0078 Ом/78А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 74 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 249 руб.
IRF2204PBF, Транзистор, N-канал 40В 210A авто [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0036 Ом/130А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 120 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 286 руб.
IRF2804PBF, Транзистор, N-канал 40В 280А авто[TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0023 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 130 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 306 руб.
IRF2804STRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 280А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 280 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.002 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		660 руб. ×	от 15 шт. — 596 руб.
IRF2805PBF, Транзистор, N-канал 55В 75А авто [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/104А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 91 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 234 руб.
IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 135 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/104А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 9.1 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 228 руб.
IRF2807PBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 82 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013 Ом/43А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		210 руб. ×	от 15 шт. — 197 руб.