Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba, стр.2, (картинки)

27 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]быстрый просмотр
Toshiba
По запросу
330 руб.
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]быстрый просмотр
Toshiba
По запросу
280 руб.
GT45G122
Toshiba
11-13 дней, 1 шт.
520 руб.
GT30N135SRA,S1E, IGBT Transistors 1350V DISCRETE IGBT TRANS
Toshiba
7-9 недель, 3923 шт.
1 130 руб.
GT50JR22(S1WLD,E,S
Toshiba
7-9 недель, 930 шт.
150 руб.
GT50JR22(S1WLD,E,S)
Toshiba
7-9 недель, 40 шт.
320 руб.
GT50JR22(S1WLD,E,S), TO-3P-3 IGBTs
Toshiba
7 недель, 6 шт.
570 руб.
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60