Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230
Корпус: TO-264
|
быстрый просмотр |
1 160 руб.
×
от 15 шт. — 1 110 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр |
760 руб.
×
от 15 шт. — 695 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр |
720 руб.
×
от 15 шт. — 660 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр |
790 руб.
×
от 15 шт. — 780 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
17 руб.
×
от 100 шт. — 15 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
15 руб.
×
от 100 шт. — 9 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
10 руб.
×
от 100 шт. — 5.70 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
12 руб.
×
от 100 шт. — 9.60 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
17 руб.
×
от 100 шт. — 13 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
18 руб.
×
от 100 шт. — 14 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
14 руб.
×
от 100 шт. — 9.20 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
13 руб.
×
от 100 шт. — 7.30 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
14 руб.
×
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
18 руб.
×
от 100 шт. — 14 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
19 руб.
×
от 50 шт. — 17 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
14 руб.
×
от 100 шт. — 9 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
10 руб.
×
от 100 шт. — 5.40 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
13 руб.
×
от 100 шт. — 6.50 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn c 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
13 руб.
×
от 100 шт. — 7.30 руб.
|
||
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246
Корпус: sot-23
|
быстрый просмотр |
8 руб.
×
от 100 шт. — 4.40 руб.
|