Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FDV305N, Транзистор N-MOSFET 20В 0.9А 0.35Вт [SOT-23-3]
5872 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/0.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
5872 шт.
9 руб. ×
FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]
2008 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.142 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 8.7
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
2008 шт.
28 руб. ×
от 15 шт. — 26 руб.
FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]
2491 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 110 мОм/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 8.7
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
2491 шт.
58 руб. ×
от 100 шт. — 53 руб.
IPD060N03LG, Транзистор N-MOSFET 30В 50A 56Вт [TO-252-3]
4272 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/30А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56
Крутизна характеристики, S: 67
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
4272 шт.
41 руб. ×
от 100 шт. — 37 руб.
IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]
1366 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: TO-263/D2PAK
быстрый просмотр
1366 шт.
75 руб. ×
от 100 шт. — 68 руб.
IRF7105TR, Транзистор N/P-MOSFET 25В 3.5А/2.3А 2Вт [SOP-8]
1994 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1/0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3/3.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1994 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7240TR, Транзистор P-MOSFET 40В 10.5А 2.5Вт [SOIC-8]
2233 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2233 шт.
42 руб. ×
от 100 шт. — 38 руб.
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8]
8373 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
8373 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
5135 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5135 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7304TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 4.3А 2Вт [SOP-8]
2626 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2626 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7307TR, Транзистор N/P-MOSFET 20В 5.2А/4.3А 2Вт [SOP-8]
5880 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.053/0.1 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5880 шт.
18 руб. ×
от 50 шт. — 17 руб.
IRF7309TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 4А/3А 1.4Вт [SOP-8]
4271 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05/0.1 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4271 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8]
5302 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5302 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
2187 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2187 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7319TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.5А/4.9А 2Вт [SOP-8]
4399 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.031/0.06 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4399 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7328TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт [SOP-8]
2113 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2113 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
3289 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3289 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8]
3740 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3740 шт.
39 руб. ×
от 50 шт. — 36 руб.
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 3.7А/4.3А 2Вт [SOP-8]
4130 шт.
Бренд: UMW
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065/0.09 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
4130 шт.
28 руб. ×
от 50 шт. — 26 руб.
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
2386 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2386 шт.
45 руб. ×
от 50 шт. — 41 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60