Мой регион: Россия

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics6 из более 1000

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саратов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
273 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 ом при 14.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: to247
Добавить к сравнению
273 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 219 руб.
STW48NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.055Ом, 44А [TO-247]
125 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Корпус: to247
Добавить к сравнению
125 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 420 руб.
от 150 шт. — 419 руб.
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]
332 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 ом при 25.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 350
Крутизна характеристики, S: 45
Корпус: to247
Добавить к сравнению
332 шт.
530 руб. ×
от 15 шт. — 511 руб.
от 150 шт. — 509 руб.
STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]
4 дня, 748 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 29
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 ом при 14.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
4 дня,
748 шт.
150 руб. ×
от 7 шт. — 110 руб.
от 8 шт. — 99 руб.
STB45N65M5, Mosfet MDmesh V, N-канал, 650 В, 0.067 Ом, 35 А, D2PAK
2-3 недели, 1279 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.078 ом при 19.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
2-3 недели,
1279 шт.
710 руб. ×
от 10 шт. — 551 руб.
от 100 шт. — 479 руб.
STW60N65M5, Mosfet MDmesh V, N-канал, 650 В, 0.049 Ом, 46 А, TO-247
4 дня, 83 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 ом при 23a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255
Корпус: to247
Добавить к сравнению
4 дня,
83 шт.
820 руб. ×
от 4 шт. — 570 руб.
от 7 шт. — 518 руб.