Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{33 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P] Бренд: Ixys Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 400 Крутизна характеристики, S: 58 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		950 руб. ×	от 15 шт. — 862 руб.
RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 131 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 180 руб.
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK] 724 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	724 шт.	130 руб. ×	от 15 шт. — 115 руб.
STD60NF06T4-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 50А 136Вт [TO-252] 279 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8.3 Крутизна характеристики, S: 60 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	279 шт.	130 руб. ×	от 100 шт. — 117 руб.
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB] 418 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	418 шт.	140 руб. ×	от 15 шт. — 102 руб.
КП723А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-220] 224 шт. Бренд: Россия Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/31А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: kt-28	быстрый просмотр	224 шт.	390 руб. ×	от 30 шт. — 340 руб.
IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0055 ом при 30a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 75 Корпус: to220	быстрый просмотр		270 руб. ×
40N06 7-9 недель, 2185 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 14 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: - Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 2185 шт.	34 руб. ×	от 50 шт. — 27 руб. от 150 шт. — 24 руб. от 500 шт. — 17.96 руб.
IPD060N03LG 7-9 недель, 2179 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56 Крутизна характеристики, S: 67 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 2179 шт.	63 руб. ×	от 10 шт. — 49 руб. от 30 шт. — 43 руб. от 100 шт. — 34.78 руб.
IRFP260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 49А [TO-247AC] 178 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/28А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	178 шт.	500 руб. ×
IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [TO-252-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.006 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 56 Корпус: TO-252-3	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
IRFZ44N(UMW) 7-9 недель, 4378 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: 56 Корпус: to-220		7-9 недель, 4378 шт.	67 руб. ×	от 10 шт. — 52 руб. от 50 шт. — 45 руб. от 100 шт. — 36.33 руб.
SUD50P06-15(UMW) 7-9 недель, 2455 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 113 Крутизна характеристики, S: 61 Корпус: dpak		7-9 недель, 2455 шт.	90 руб. ×	от 10 шт. — 71 руб. от 30 шт. — 61 руб. от 100 шт. — 50.27 руб.