Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

_{161 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

Транзистор IRF3706, корпус TO-220AB ,IR 3-4 дня, 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 77 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 88 Крутизна характеристики, S: 53 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	3-4 дня, 1 шт.	750 руб. ×
Транзистор IRF7204TR, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 6 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 6 шт.	210 руб. ×
Транзистор IRF7301TR, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 7 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 7 шт.	310 руб. ×
Транзистор IRF7304, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	310 руб. ×
Транзистор IRF7311, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 1 шт.	250 руб. ×
Транзистор IRF7425, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0082 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	4 500 руб. ×
Транзистор IRF7811AVTR, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.2 Крутизна характеристики, S: 28 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	390 руб. ×
Транзистор IRF8910, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 9 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 9 шт.	310 руб. ×
Транзистор IRLMS6702TR, корпус TSO-P ,IR 3-4 дня, 4 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.375 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: TSO-P	быстрый просмотр	3-4 дня, 4 шт.	190 руб. ×
Транзистор КП302ВМ, тип N, 0,3 Вт, корпус КТ-1 3-4 дня, 8 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 100 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Корпус: KT-1	быстрый просмотр	3-4 дня, 8 шт.	520 руб. ×
2П302А, транзистор полевой 4-5 дней, 150 шт. Бренд: Россия Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Корпус: kt-27	быстрый просмотр	4-5 дней, 150 шт.	300 руб. ×	от 25 шт. — 200 руб. от 100 шт. — 167 руб.
2П306Б, транзистор полевой 4-5 дней, 32 шт. Бренд: Россия Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Корпус: kt-112	быстрый просмотр	4-5 дней, 32 шт.	230 руб. ×
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8 Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 15 шт. — 76 руб. от 60 шт. — 73 руб. от 105 шт. — 72.66 руб.
IRF7331PBF, транзистор 2Nкан 20В 7А SO8 Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		150 руб. ×
IRF7507TRPBF, транзистор N/P канал 20В 2.4/-1.7А Micro8 Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4/1.7 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25 Корпус: micro8	быстрый просмотр		69 руб. ×
IRF7607PBF, транзистор N канал 20В 6.5А Micro8 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8 Корпус: micro8	быстрый просмотр		55 руб. ×
IRLHS6242TR2PBF, транзистор N канал 20В 8.5А 11.7мОм PQFN2x2 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 9.6 Корпус: PQFN2x2	быстрый просмотр		47 руб. ×
IRLMS1902TRPBF, транзистор N канал 20В 3.2А лог Micro6/TSOP6 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Корпус: Micro6/TSOP6	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 154 шт. — 18 руб.
SI3900DV-T1-GE3 Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Корпус: TSOP6	быстрый просмотр		230 руб. ×
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U 4-5 дней, 8800 шт. Бренд: YJ Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -5.4 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	4-5 дней, 8800 шт.	12 руб. ×	от 1000 шт. — 4 руб. от 4000 шт. — 3.20 руб. от 7000 шт. — 3 руб.