Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

76 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
Пр-во: IR
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
26 руб. ×
от 100 шт. — 23 руб.
от 1000 шт. — 19.50 руб.
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
60 руб. ×
от 50 шт. — 51 руб.
от 500 шт. — 42.80 руб.
2SK241(Y), Транзистор, N-канал, высокочастотный, тюнеры, радиоприемники [TO-92S]
11 шт.
Пр-во: No trademark
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: 2-4E1D
быстрый просмотр
11 шт.
190 руб. ×
от 10 шт. — 171 руб.
от 100 шт. — 164 руб.
2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]
120 шт.
Пр-во: Россия
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.015
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Крутизна характеристики, S: 1…2.6
Корпус: kt-114
быстрый просмотр
120 шт.
460 руб. ×
от 30 шт. — 367 руб.
от 300 шт. — 341 руб.
AO4402G, Транзистор Trench Power MOSFET N-канал 20В 20А 5.9мОм [SOIC-8]
Пр-во: Alpha & Omega
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/4.5А, 20В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
51 руб. ×
от 25 шт. — 43 руб.
от 250 шт. — 37 руб.
BSH105,215, Транзистор MOSFET N-CH 20В 1.05А [SOT-23]
1633 шт.
Пр-во: Nexperia
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.05
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/0.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.417
Крутизна характеристики, S: 1.6
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
1633 шт.
32 руб. ×
от 100 шт. — 24 руб.
от 1000 шт. — 21.30 руб.
FDC6420C, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6]
904 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 4.3/2
Корпус: TSOP-6
быстрый просмотр
904 шт.
24 руб. ×
от 50 шт. — 23 руб.
от 500 шт. — 22 руб.
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
51 руб. ×
от 100 шт. — 49 руб.
от 1000 шт. — 48 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 74 руб.
от 250 шт. — 68.10 руб.
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 71 руб.
от 250 шт. — 65.40 руб.
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
96 руб. ×
от 25 шт. — 81 руб.
от 250 шт. — 74.80 руб.
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 70 руб.
от 250 шт. — 60.80 руб.
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
96 руб. ×
от 25 шт. — 93 руб.
от 250 шт. — 88 руб.
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3/4
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 25 шт. — 93 руб.
от 250 шт. — 86.40 руб.
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 25 шт. — 91 руб.
от 250 шт. — 82.40 руб.
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 25 шт. — 91 руб.
от 250 шт. — 84 руб.
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20/5.9
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 74 руб.
от 250 шт. — 64.20 руб.
IRF7324TR, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
5667 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
5667 шт.
74 руб. ×
от 50 шт. — 69 руб.
от 500 шт. — 65 руб.
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
Пр-во: Infineon
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
110 руб. ×
от 50 шт. — 96 руб.
от 500 шт. — 90 руб.
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
59 руб. ×
от 50 шт. — 55 руб.
от 500 шт. — 51 руб.
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60