Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)6 из более 1000

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
241 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
241 шт.
890 руб. ×
от 15 шт. — 848 руб.
от 150 шт. — 832 руб.
SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220]
254 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Корпус: PG-TO220
быстрый просмотр
254 шт.
840 руб. ×
от 15 шт. — 789 руб.
от 150 шт. — 782 руб.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
2173 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to-220fp
быстрый просмотр
2173 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 367 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]
349 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: to-220
быстрый просмотр
349 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 428 руб.
от 150 шт. — 420 руб.
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
372 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to-247
быстрый просмотр
372 шт.
560 руб. ×
от 15 шт. — 513 руб.
от 150 шт. — 507 руб.
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
283 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: to-247
быстрый просмотр
283 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 416 руб.
от 150 шт. — 404 руб.