Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)11 из более 1000

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P]
11 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: SC-65/2-16C1B
быстрый просмотр
11 шт.
630 руб. ×
от 15 шт. — 565 руб.
от 150 шт. — 552 руб.
2SK2645, Транзистор, N-канал [TO-220F]
109 шт.
Пр-во: Китай
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: MP-45F/TO-220F
быстрый просмотр
109 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 215 руб.
от 150 шт. — 196 руб.
2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
2356 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: SC-65/2-16C1B
быстрый просмотр
2356 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 408 руб.
от 150 шт. — 400 руб.
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]
837 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
837 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 204 руб.
от 150 шт. — 196 руб.
IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB]
402 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
402 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 141 руб.
от 150 шт. — 116 руб.
IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]
413 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
413 шт.
96 руб. ×
от 15 шт. — 75 руб.
от 150 шт. — 68.10 руб.
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]
6 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 9.6
Корпус: to-220fp
быстрый просмотр
6 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 502 руб.
от 150 шт. — 487 руб.
2SK2611(F,T), Транзистор, N-канал [TO-3P]
5 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: SC-65/2-16C1B
быстрый просмотр
5 шт.
1 010 руб. ×
от 15 шт. — 952 руб.
от 150 шт. — 941 руб.
2SK2161, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А, 25 Вт, [TO-220F]
6 дней, 3 шт.
Пр-во: No trademark
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.35 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: TO-220ML
6 дней,
3 шт.
160 руб. ×
IRF7469PBF, Nкан 40В 18А SO8
3-5 дней, 1 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
3-5 дней,
1 шт.
680 руб. ×
STW6N95K5, Mosfet SuperMESH 5, N-канал, 950 В, 1 Ом, 9А, TO-247
3-5 дней, 19 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-247
быстрый просмотр
3-5 дней,
19 шт.
900 руб. ×
от 2 шт. — 830 руб.
от 5 шт. — 773 руб.
от 10 шт. — 754 руб.