Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{18 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN] 120 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	120 шт.	540 руб. ×	от 15 шт. — 503 руб.
2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN] 162 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	162 шт.	260 руб. ×	от 100 шт. — 227 руб.
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		890 руб. ×	от 15 шт. — 848 руб.
FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 070 руб. ×	от 15 шт. — 1 020 руб.
FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/23.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 417 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 560 руб. ×
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		580 руб. ×	от 15 шт. — 522 руб.
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/11.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235 Крутизна характеристики, S: 29 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		670 руб. ×	от 15 шт. — 612 руб.
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		570 руб. ×	от 15 шт. — 495 руб.
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		680 руб. ×	от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 020 руб. ×	от 15 шт. — 980 руб.
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		540 руб. ×	от 15 шт. — 462 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		610 руб. ×	от 15 шт. — 597 руб.
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 537 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 48 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 598 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		620 руб. ×	от 15 шт. — 556 руб.
2SK2611, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN] По запросу Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	По запросу	540 руб. ×	от 15 шт. — 503 руб.