Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули, стр.21

_{698 из 773}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FS75R12KE3G, IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE Бренд: Infineon	быстрый просмотр		45 200 руб. ×	от 10 шт. — 39 420 руб. от 20 шт. — 37 940 руб.
FS75R12KE3GBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		39 070 руб. ×	от 5 шт. — 36 340 руб.
FS75R12W2T4, IGBT Modules IGBT 1200V 75A Бренд: Infineon	быстрый просмотр		17 290 руб. ×	от 10 шт. — 13 640 руб. от 30 шт. — 13 170 руб.
FS75R17W2E4PB11BPSA1, IGBT MOD, 1.7KV, 45A, 0.02W Бренд: Infineon	быстрый просмотр		18 300 руб. ×	от 5 шт. — 16 730 руб. от 10 шт. — 16 220 руб.
FS75R17W2E4PB11BPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD Бренд: Infineon	быстрый просмотр		18 840 руб. ×	от 10 шт. — 14 870 руб. от 18 шт. — 14 360 руб.
FS950R08A6P2BBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI Бренд: Infineon	быстрый просмотр		154 800 руб. ×	от 12 шт. — 149 500 руб.
FZ3600R12HP4HOSA2 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		281 200 руб. ×
FZ3600R12HP4HOSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 3.6 кА, 1.7 В, 19 кВт, 175 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		363 700 руб. ×
FZ400R12KE3HOSA1 Single IGBT Module, 650 A 1200 V, 5-Pin 62MM Module, Panel Mount Бренд: Infineon	быстрый просмотр		48 080 руб. ×
FZ600R12KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 900 А, 1.7 В, 2.8 кВт, 1.2 кВ, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр		46 350 руб. ×	от 5 шт. — 40 900 руб. от 10 шт. — 40 020 руб.
FZ900R12KE4HOSA1 Бренд: Infineon	быстрый просмотр		44 170 руб. ×	от 10 шт. — 38 520 руб. от 30 шт. — 37 070 руб.
GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module 7-9 недель, 10 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 10 шт.	23 610 руб. ×	от 5 шт. — 22 140 руб. от 10 шт. — 20 690 руб.
GD200HFX65C2S 7-9 недель, 22 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 22 шт.	16 620 руб. ×	от 5 шт. — 15 430 руб. от 10 шт. — 15 210 руб.
GD300HFX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 493 А, 1.85 В, 1.829 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 11 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 11 шт.	30 990 руб. ×	от 5 шт. — 29 050 руб. от 10 шт. — 27 160 руб.
GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 9 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 9 шт.	25 530 руб. ×	от 5 шт. — 23 930 руб.
GD400SGY120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 630A 7-9 недель, 2 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 2 шт.	18 200 руб. ×
GD50FFY120C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 85 А, 1.7 В, 292 Вт, 150 °C, Module 7-9 недель, 6 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 6 шт.	13 890 руб. ×	от 5 шт. — 12 900 руб.
GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 150 °C, Module 7-9 недель, 7 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 7 шт.	39 350 руб. ×	от 5 шт. — 36 890 руб.
GD75PIY120C6SN, БТИЗ массив и модульный транзистор, 117 А, 2.15 В, 380 Вт, 175 °C, Module 7-9 недель, 9 шт. Бренд: STARPOWER	быстрый просмотр	7-9 недель, 9 шт.	25 460 руб. ×	от 5 шт. — 20 750 руб.
IFS100B12N3E4_B31, IGBT Modules MIPAQ BASE 1200V 100A Бренд: Infineon	быстрый просмотр		56 940 руб. ×	от 10 шт. — 49 330 руб. от 20 шт. — 48 740 руб.