Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)5 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
229 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 620
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
229 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 453 руб.
от 150 шт. — 450 руб.
IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]
3 дня, 2 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 4.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
3 дня,
2 шт.
250 руб. ×
от 15 шт. — 234 руб.
от 150 шт. — 232 руб.
IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
По запросу
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
По запросу
160 руб. ×
от 15 шт. — 150 руб.
от 150 шт. — 145 руб.
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
По запросу
76 руб. ×
от 15 шт. — 70 руб.
от 150 шт. — 69 руб.
IRG4IBC20UD, IGBT 600В 11А TO220FP, транзистор
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11.4
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 34
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220 fullpak
быстрый просмотр
По запросу
66 руб. ×
от 50 шт. — 50 руб.
от 500 шт. — 29 руб.