Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{16 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F] 1404 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1404 шт.	67 руб. ×	от 50 шт. — 60 руб.
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223] 4695 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4695 шт.	12 руб. ×	от 50 шт. — 11 руб.
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252] 1977 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1977 шт.	15 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 2302 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2302 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 12 руб.
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252] 2201 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2201 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
AO3442A, Транзистор N-MOSFET 100В 1А [SOT-23-3] 3688 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 51.4 мОм/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 2.8 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	3688 шт.	8 руб. ×	от 100 шт. — 7 руб.
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.54 Ом/0.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 0.8 Корпус: HVMDIP-4	быстрый просмотр		81 руб. ×	от 15 шт. — 69 руб.
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1 Крутизна характеристики, S: 1 Корпус: HVMDIP-4	быстрый просмотр		53 руб. ×	от 15 шт. — 48 руб.
IRFD9014PBF, Транзистор MOSFET P-канал 60В 1.1А [HVMDIP] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/0.66А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Корпус: HVMDIP-4	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/0.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 0.71 Корпус: HVMDIP-4	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 91 руб.
IRFL9110TRPBF, Транзистор, P-канал 100В 1.1А [SOT-223] (=IRFL9110PBF) Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/0.66А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 0.82 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 143 руб.
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.54 Ом/0.6А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 1.3 Корпус: HVMDIP-4	быстрый просмотр		96 руб. ×	от 15 шт. — 81 руб.
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223] 982 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	982 шт.	110 руб. ×	от 50 шт. — 89 руб.
КП501А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-92 / КТ-26] 6760 шт. Бренд: Интеграл Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 240 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10 Ом/0.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Крутизна характеристики, S: 100 Корпус: kt-26	быстрый просмотр	6760 шт.	48 руб. ×	от 100 шт. — 35 руб.
1N65L 7-9 недель, 18215 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: - Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 18215 шт.	25 руб. ×	от 50 шт. — 20 руб. от 150 шт. — 17 руб. от 500 шт. — 13.33 руб.
FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 ом при 0.5а, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 0.75 Корпус: dpak	быстрый просмотр		30 руб. ×