Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.5

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	440 руб. ×	от 15 шт. — 389 руб.
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	570 руб. ×	от 15 шт. — 498 руб.
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227 Корпус: to-220	быстрый просмотр	900 руб. ×	от 15 шт. — 869 руб.
FDP2532, Транзистор PowerTrench N-канал 150В 79А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/33А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Корпус: to-220	быстрый просмотр	450 руб. ×	от 15 шт. — 406 руб.
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: to-220	быстрый просмотр	560 руб. ×	от 15 шт. — 509 руб.
FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320 Корпус: to-220	быстрый просмотр	520 руб. ×	от 15 шт. — 505 руб.
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357 Корпус: to-220	быстрый просмотр	330 руб. ×	от 15 шт. — 260 руб.
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр	150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	510 руб. ×	от 15 шт. — 452 руб.
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	370 руб. ×	от 15 шт. — 323 руб.
FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А, 2.5Ом (=SSS4N60B), [TO-220FP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 15 шт. — 191 руб.
FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	180 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	130 руб. ×	от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.68 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/0.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 1.45 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	19 руб. ×	от 50 шт. — 18 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 48 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	600 руб. ×	от 15 шт. — 598 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	620 руб. ×	от 15 шт. — 556 руб.