Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.28

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
2SK2651, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220F]
38 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: TO-220F15
быстрый просмотр
38 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 277 руб.
2SK2718, Транзистор, N-канал [TO-220F] [EOL]
4 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.4 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
4 шт.
220 руб. ×
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]
86 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
86 шт.
290 руб. ×
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор
5 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 1.7
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
5 шт.
90 руб. ×
2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]
5 шт.
Бренд: NEC
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
5 шт.
180 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]
4 шт.
Бренд: Renesas
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
4 шт.
210 руб. ×
от 3 шт. — 176 руб.
2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]
10 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: TO-220F15
быстрый просмотр
10 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 270 руб.
APM4010NUC-TRG, Транзистор, N-канальный, 40В 57А 50Вт, [TO-252]
403 шт.
Бренд: Anpec
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 57
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
403 шт.
130 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
AUIRF1010Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
210 руб. ×
AUIRF1324, Транзистор, Auto Q101 Nкан 24В 353А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 353
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
350 руб. ×
от 15 шт. — 333 руб.
AUIRFB8407, Транзистор, Autom Q101 N-канал 40В 195А 2мОм [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.002 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230
Крутизна характеристики, S: 160
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
440 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
AUIRFB8409, Транзистор, Autom Q101 Nкан 40В 195А 1.3мОм [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0013 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375
Крутизна характеристики, S: 150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
480 руб. ×
от 15 шт. — 460 руб.
AUIRL3705ZS, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 86А [D2-PАK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 86
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/52А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
270 руб. ×
от 15 шт. — 258 руб.
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92] [EOL]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.1А, 2.8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.33
Корпус: TO-92(Formed Leads)
быстрый просмотр
170 руб. ×
от 10 шт. — 143 руб.
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36
Крутизна характеристики, S: 370
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
21 руб. ×
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
48 руб. ×
от 100 шт. — 32 руб.
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
75 руб. ×
от 15 шт. — 68 руб.
FCP11N60F, Транзистор, N-канал 600В 11А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 9.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
910 руб. ×
от 15 шт. — 856 руб.
FCPF7N60, Транзистор, N-канал 600В 7А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
500 руб. ×
от 15 шт. — 434 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60